Transistors. Page 72 sur 114. Avtronic

Transistor IRF1010N

4.54€ TTC

88 En stock

Transistor IRF1010N N-MOS 55V 85A 200W<0.11R (43A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 85 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.11. Puissance: 200 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF1104

7.11€ TTC

77 En stock

Transistor IRF1104 N-MOS 40V 100A 170W<0.009R(71A. Ultra Low R.. Vgs: 20V. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 100 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 71 A. Rds (Ohms): 0.009. Puissance: 170 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF1310N

4.82€ TTC

129 En stock

Transistor IRF1310N N-MOS 100V 42A 160W<0.036R(30A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A. Rds (Ohms): 0.036.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF1404

6.33€ TTC

109 En stock

Transistor IRF1404 N-MOS 40V 169A 200W<0.0035R(118A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 169 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 118 A. Rds (Ohms): 3.5 mOhms

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF1404S

15.62€ TTC

15 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 40V 162A/650Ap 200W 0.0035R (115A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: RF1404SPBF. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: D2PAK. Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 190A. Puissance: 220 W. Id(T:100): 130A. Id(imp): 750 Ap. Id

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF1404Z

6.05€ TTC

173 En stock

Transistor MOSFET canal N 40V 190A/750Ap 220W 0.0033R (130A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: RF1404ZPBF. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 190A. Puissance: 220 W. Id(T:100): 130A. Id(imp): 750 Ap. Idss (min): 20 uA. Idss (max): 250 uA.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF1405

6.61€ TTC

119 En stock

Transistor IRF1405 N-MOS 55V 169A 330W<0.0046R(118A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Rds(on):<4.6mohm. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 169 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 118 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF1407

5.99€ TTC

101 En stock

Transistor IRF1407 N-MOS 75V 130A 330W<0.0078R(92A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Rds(on):<7.8mohm. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 130 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 92 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF2804

9.02€ TTC

20 En stock

Transistor IRF2804 N-MOS 40V 75A 330W<0.0023R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.0023.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF2805

8.06€ TTC

59 En stock

Transistor IRF2805 N-MOS 55V 75A 330W<0.047R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.047.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF2807

4.82€ TTC

134 En stock

Transistor IRF2807 N-MOS 75V 82A 230W<0.013R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 82 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.013.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF2903Z

9.46€ TTC

14 En stock

Transistor IRF2903Z N-MOS 30V 260A 290W 0.019R(180A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 260 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 180 A. Rds (Ohms): 0.019.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF2903ZS

11.54€ TTC

7 En stock

Transistor IRF2903ZS N-MOS 30V 260A 290W 0.019R(180A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: D2PAK. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 260 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 180 A. Rds (Ohms): 0.019.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF2907Z

12.10€ TTC

101 En stock

Transistor IRF2907Z N-MOS 75V 170A 330W 0.035R(120A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB (IRF2907ZPBF). Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 170 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 120 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF2907ZS-7P

15.06€ TTC

32 En stock

Transistor IRF2907ZS-7P N-MOS 75V 180A 300W 0.03R(120A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB (AUIRF2907ZS-7PPBF). Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 180 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3205

4.03€ TTC

496 En stock

Transistor IRF3205 N-MOS 55V 110A/390Ap.200W 0.008R(80A). HEXFET Power MOSFET. td(on)14nS / td(off)50nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 80 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3205S

5.10€ TTC

115 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 110A. Puissance: 200W. Rds: 0.008 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2-Pak.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3205Z

3.58€ TTC

306 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 110A 170W 0.0049R.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3315

5.32€ TTC

85 En stock

Transistor IRF3315 N-MOS 150V 27A 136W<0.07R(19A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 27 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 19 A. Rds (Ohms): 0.07.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3415

5.94€ TTC

54 En stock

Transistor IRF3415 N-MOS 150V 43A 200W<0.0042R(30A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 43 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A. Rds (Ohms): 0.0042.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3710

4.03€ TTC

161 En stock

Transistor IRF3710 N-MOS 100V 57A 200W 0.023R(28A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12/td(off)49nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 28 A. Rds (Ohms): 0.023.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRF1010N

Transistor IRF1010N N-MOS 55V 85A 200W<0.11R (43A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 85 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.11. Puissance: 200 W

Transistor IRF1104

Transistor IRF1104 N-MOS 40V 100A 170W<0.009R(71A. Ultra Low R.. Vgs: 20V. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 100 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 71 A. Rds (Ohms): 0.009. Puissance: 170 W

Transistor IRF1310N

Transistor IRF1310N N-MOS 100V 42A 160W<0.036R(30A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A. Rds (Ohms): 0.036.

Transistor IRF1404

Transistor IRF1404 N-MOS 40V 169A 200W<0.0035R(118A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 169 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 118 A. Rds (Ohms): 3.5 mOhms

Transistor IRF1404S

Transistor IRF1404Z

Transistor IRF1405

Transistor IRF1405 N-MOS 55V 169A 330W<0.0046R(118A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Rds(on):<4.6mohm. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 169 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 118 A.

Transistor IRF1407

Transistor IRF1407 N-MOS 75V 130A 330W<0.0078R(92A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Rds(on):<7.8mohm. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 130 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 92 A.

Transistor IRF2804

Transistor IRF2804 N-MOS 40V 75A 330W<0.0023R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.0023.

Transistor IRF2805

Transistor IRF2805 N-MOS 55V 75A 330W<0.047R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.047.

Transistor IRF2807

Transistor IRF2807 N-MOS 75V 82A 230W<0.013R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 82 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.013.

Transistor IRF2903Z

Transistor IRF2903Z N-MOS 30V 260A 290W 0.019R(180A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 260 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 180 A. Rds (Ohms): 0.019.

Transistor IRF2903ZS

Transistor IRF2903ZS N-MOS 30V 260A 290W 0.019R(180A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: D2PAK. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 260 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 180 A. Rds (Ohms): 0.019.

Transistor IRF2907Z

Transistor IRF2907Z N-MOS 75V 170A 330W 0.035R(120A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB (IRF2907ZPBF). Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 170 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 120 A.

Transistor IRF2907ZS-7P

Transistor IRF2907ZS-7P N-MOS 75V 180A 300W 0.03R(120A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB (AUIRF2907ZS-7PPBF). Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 180 A.

Transistor IRF3205

Transistor IRF3205 N-MOS 55V 110A/390Ap.200W 0.008R(80A). HEXFET Power MOSFET. td(on)14nS / td(off)50nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 80 A.

Transistor IRF3205S

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 110A. Puissance: 200W. Rds: 0.008 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2-Pak.

Transistor IRF3205Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 110A 170W 0.0049R.

Transistor IRF3315

Transistor IRF3315 N-MOS 150V 27A 136W<0.07R(19A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 27 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 19 A. Rds (Ohms): 0.07.

Transistor IRF3415

Transistor IRF3415 N-MOS 150V 43A 200W<0.0042R(30A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 43 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A. Rds (Ohms): 0.0042.

Transistor IRF3710

Transistor IRF3710 N-MOS 100V 57A 200W 0.023R(28A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12/td(off)49nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 28 A. Rds (Ohms): 0.023.

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